Ce projet propose le développement d’un TBH (Transistor Bipolaire à Hétérojonction) sur phosphure d’indium et à base antimoniée, composant analogique très haute fréquence (vers le THz), selon 2 axes complémentaires : le premier concerne l’amélioration significative des performances du TBH développé dans le projet RNRT MELBA, pour des applications hyperfréquence (Fmax >0,4 THz), grâce à l’optimisation de la structure et une réduction progressive des dimensions (700-500 nm) ; cette adaptation sera validée par la réalisation de circuits pertinents à l’état de l’art (source opérant au delà des 0,1 THz, avec un niveau de puissance significatif, 100-200 mW) ; Le deuxième axe regroupe d'une part la conception d'hétérostructures novatrices permettant la mise en oeuvre d'un transport électronique ultra-rapide dans l'ensemble du transistor et d'autre part la nanofabrication de ces transistors (WE=300 nm, J > 1 MA/cm2) pour établir un nouvel état de l'art (0,5THz). L’utilisation de l’antimoine dans la base, dont la faisabilité et l’intérêt ont été montrés dans le projet RNRT/MELBA, permettra de bénéficier d’une part des forts dopages possibles qui permettent une optimisation verticale de la structure, d’autre part des caractéristiques physiques propres permettant une technologie appropriée aux dimensions submicroniques.